| Réalisation
de nano-objets par lithogravure |
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Méthode novatrice de réalisation et/ou d'organisation de nano-objets (collaboration IEF-CRMCN)
L'objectif est de maîtriser la texturation de la surface de silicium à l'échelle nanométrique par lithogravure, pour ensuite, soit :
- y faire croître, par auto-organisation contrôlée, des nanostructures
- y déposer des nano-objets (nanotubes de carbone, nanocristaux, clusters, molécules, entités biologiques) qui, sous l'influence de la texturation, s'organiseront
Le contrôle de cette auto-organisation peut faciliter l'obtention de nano-dispositifs connectés à l'échelle «macroscopique».
Voici quelques exemples de réalisation de nano-texturation de surface .
N'hésitez pas à nous contacter: Amanda Martinez-Gil<amanda.martinez-gil@ief.u-psud.fr>
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réseau
de trous lithogravés ( lithographie électronique +
gravure ionique réactive ) à la surface du Si : 50 nm de
diamètre et espacés de
50 nm : nantotexturation de la surface de Si (pour ordonner des nano-objets, par exemple) |
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réseau
de trous lithogravés ( lithographie électronique +
gravure ionique réactive ) à la surface du Si : 50 nm de
diamètre et espacés de 100 nm : nantotexturation de la
surface de Si (pour ordonner des nano-objets, par exemple) |
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1
trou de 50 nm de diamètre obtenu par lithographie
électronique et gravure RIE |
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réseau
de pilliers de silicium espacés de 150 nm obtenu par
lithographie électronique et gravure ionique réactive
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réseau
de piliers de résine de 200 nm de diamètre et
1.4µm de hauteur obtenu par lithographie électronique
(inversion de la résine PMMA) |
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réseau
de piliers de résine de 75 nm de diamètre et 380 nm
de hauteur obtenu par lithographie électronique (inversion de la
résine PMMA) |
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1
pilier du réseau précedent |
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structure
3D obtenu dans le Si par lithographie électronique et gravure RIE |
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structure 3D obtenu dans le Si par lithographie électronique et gravure RIE |
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réseau
de trou de 500 nm espacés de 70 nm obtenu par lithographie
électronique et gravure RIE |
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réseau de trou de 500 nm espacés de 70 nm obtenu par lithographie électronique et gravure RIE |
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réseau
de lignes de Si espacées de 300 nm obtenu par lithographie
électronique et gravure RIE
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réseau
de lignes de Si espacées de 300 nm obtenu par lithographie
électronique et gravure RIE
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pic
de Si obtenu par lithographie électronique et gravure RIE |
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tranchée
gravée dans le Si |
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de
l'Art dans de la résine |